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TT8K2
l Thermal resistance
Data Sheet
Parameter
Thermal resistance, junction - ambient
Symbol
R thJA *3
R thJA *4
Min.
-
-
Values
Typ.
-
-
Max.
100
227
Unit
°C/W
°C/W
l Electrical characteristics (T a = 25°C) ,unless otherwise specified
<It is the same characteristics for the Tr1 and Tr2>
Parameter
Drain - Source breakdown
voltage
Symbol
V (BR)DSS
Conditions
V GS = 0V, I D = 1mA
Min.
30
Values
Typ.
-
Max.
-
Unit
V
Breakdown voltage
temperature coefficient
ΔV (BR)DSS I D =1mA
ΔT j referenced to 25°C
-
30
-
mV/°C
Zero gate voltage drain current
Gate - Source leakage current
Gate threshold voltage
Gate threshold voltage
temperature coefficient
I DSS
I GSS
V GS (th)
ΔV (GS)th
ΔT j
V DS = 30V, V GS = 0V
V GS = ? 12V, V DS = 0V
V DS = 10V, I D = 1mA
I D =1mA
referenced to 25°C
-
-
0.5
-
-
-
-
- 2.3
1
? 10
1.5
-
m A
m A
V
mV/°C
V GS =4.5V, I D =2.5A
-
65
90
Static drain - source
on - state resistance
R DS(on) *5
V GS =4V, I D =2.5A
V GS =2.5V, I D =2.5A
-
-
70
95
95
130
m W
V GS =4.5V, I D =2.5A, T j =125°C
-
110
160
Gate input resistannce
Transconductance
R G
g fs *5
f = 1MHz, open drain
V DS =10V, I D =2.5A
-
2.2
20
3.5
-
-
W
S
*1 Limited only by maximum temperature allowed.
*2 Pw ? 10 m s, Duty cycle ? 1%
*3 Mounted on a ceramic board (30×30×0.8mm)
*4 Mounted on a FR4 (20×20×0.8mm)
*5 Pulsed
www.rohm.com
? 2012 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
2/11
2012.10 - Rev.B
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